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XP15型号：XP152A01D08MR XP152A01D8MR-G XP152A11E5MR XP152A11E5MR-G XP152A12A0MR XP152A12C02MR XP152A12C0MR XP151A02B0MR
The XP152A12C0MR-G is a P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed
switching
characteristics.
Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy.
In order to counter static, a gate protect diode is built-in.
The small SOT-23 package makes high density mounting possible.
漏源电压（Vdss） -20 V
栅源电压（Vdss）±12 V
漏电流（DC） Id -0.7 A
漏电流（脉冲） Idp -2.8 A
反向漏电流 Idr -0.7 A
通道功耗 * Pd 0.5 W
存储温度 Tstg -55~150 ℃
XP152A12C0MR应用：笔记本电脑 移动电话、便携式电话 电源供应器 手机电池，计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC／DC变换器、DC／DC变换器)、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。
XP152A12C0MR结构：它用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiQ2)绝缘层
，后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极)、S(源极)及D(漏极
